半導体用語集
ポッピング
英語表記：popping
高ドーズイオン注入後のレジストにはイオン衝撃によって硬化した中間層が形成される。基板温度を高くするとこの硬化層下部の未変質層から発生したガスが硬化層によって防護され未変質層部の圧力が高くなりやがて暴発する。この現象をポッピングという。ホッピングが発生すると基板周辺にレジストが飛び散りダストの源になる。ポッピングを防ぐためには基板温度を低くしてアッシングしなければならない。しかし、基板温度を低くするとアッシング速度が低くなるばかりでなく、硬く変質した注入層は酸素のみでアッシングしきれない。そのため、H、F、OHなどの原子やラジカルを発生するガスの添加が行われている。 FやOHなどを含むガスを添加すると完全に除去できないまでも、その後の純枠リンスでは除去できることが確認されている。
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