半導体用語集
高速アッシング
英語表記：high rate ashing
アッシングは基本的に活性な酸素原子が感光性有機重合体(レジスト)を攻撃し、CO、C02、H20にして剥離する化学反応である。化学反応であるからには反応種(酸素原子)の濃度と温度に強く依存する。そのため、高速アッシングは基板温度を高くして、比較的高い圧力領域下で行われる。反応種の濃度を高い状態で維持するために流量も数SLM (Standard Litter par Minute)と高い。基板温度は高いほど反応速度は高くなるが、250℃を過ぎるとレジストの炭化が始まり、速度は逆に遅くなる。したがって、基板温度は200～ 250℃の範囲に設定される。流量は、装置構造によって多少異なるが、枚葉式装置では5SLM付近で用いられる。圧力は100～ 500Pa付近である。この条件下でのアッシング速度は8インチウェハ上で3～5μm/minである。どのようなレジストに対しても高速アッシングができるかというとそうではなく、高ドーズイオン注入後のレジストに対しては高い温度で行うことができない。ポッピングという現象が起こるはかりでなく、硬化した高ドース層が剥離できないで残るからである。
高ドーズイオン注入後のレジストに対してはFやHを含むガスを添加した多段階低温アッシングのプロセスで処理される。
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Kokusai Electric株式会社
ダメージレスなプラズマ処理と高速アッシングを実現した枚葉式アッシング装置
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 組立装置 › レーザマーカー
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