半導体用語集
マンハッタン現象
英語表記：Manhattan phenomenon, chip standing
表面実装方式のプリント配線板のはんだ付けで，抵抗やコンデンサなどの徴小チップ部品がリフローソルダリングの時に，一方の側のランドの方に引っ張られて立ち上がってしまう現象。ニューヨークのマンハッタンのビル群のようにチップが立つことからそう呼ばれる。また，ツームストーン（墓石）現象とも呼ばれる。
マンハッタン現象は，溶融はんだの表面張力の作用によるものであり，簡易的なモデルとして以下の式で表わされる。
T₁：チップ部品の自重によるモーメント，T₂：チップ下部の溶融はんだによるモーメント，T₃：チップ端外側の溶融はんだによるモーメント，m：チップ部品の単位幅当たりの質量，g：重力加速度，γ：溶融はんだの表面張力，s：チップ部品端子の導体幅，r：はんだ付きランド長，d：回転支点とチップ部品の重心との距離，f：チップ部品の端子幅，とした場合，
T₁=m•g•d·cos(φ+0)
T₂=γ•s·cosφ/2
T₃=r·f·sin(φ+ω)
であり，T₃>T₁+T₂の場合はチップ立ち発生，T₃
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