半導体用語集
ラザフォード後方散乱分析
英語表記：Rutherford Backscattering Spectrometry
固体表面にMeVオーダーのイオンを照射し、試料中の原子核との衝突によって後方散乱されたイオンのエネルギーを測定することにより、固体表面層の組成やその深さ方向分布を分析する手法。照射イオンとしては水素やヘリウムを用いることが多いが、酸素や窒素なども用いられる。試料を破壊せずに深さ方向分析できること、標準資料なしで定量分析できることを特徴とする。また、イオンを結晶面や結晶軸に平行に照射することによって、結晶性を評価することも可能である。分析領域は通常1mmф前後であるが、微小領域用では1μmфも可能である。分析可能元素は照射イオンより質量数の大きい元祖全てで、検出下限は原子番号が大きいほど小さく、1～0.01at％程度である。半導体分野では、バリヤ層や反射防止膜の組成分析、配線と基板との界面の拡散評価、エピ膜の結晶性評価、イオン注入層のダメージ評価などに用いられている。
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