半導体用語集
ラッピング(粗研磨)
英語表記:Lapping
スライシングによって得られたシリコンウェハの表面は10~20μm程度の深さまで結晶のダメージ層が入っているのでこれを研磨剤を用いて除去する必要がある。ラッピングは研磨剤としてアルミナ砥粒のスラリを流しながら、ウェハを上、下の定盤の間に挟んで回転しながら機械的に検索研磨する方法が一般的である。なお、ウェハの端面は欠けやすく、割れやクラックの原因となり、またシリコンくずれの発生要因となり、歩留まり低下をきたす恐れがあるので、あらかじめ面取りをしておく。
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