半導体用語集
リン化インジウム
英語表記：InP
結晶構造：閃亜鉛鉱構造。格子定数：0.5869nm。バンド構造：直接遷移型。エネルギーギャップ：1.4236eV（1.6K），1.344eV（RT）。スピン軌道分裂エネルギー：0.108eV。有効質量：伝導帯mc*/m₀=0.0765，重正孔帯mhh*/m₀=0.56，軽正孔帯mlh*/m₀=0.12，スピン軌道分裂帯mso*/m₀=0.121。ルッティンジャーパラメータ：γ₁=5.15，γ₂=0.94，γ₃=1.62。比誘電率：ε(0)=12.61，ε∞=9.61。励起子束縛エネルギー：5.12meV。フォノンエネルギー：LO=42.7meV，TO=37.5meV。変形ポテンシャル：a=-6.31eV（ac=-5.04eV，av=1.27eV），b=-1.6eV。弾性定数（×10¹¹dyne/cm²）：c₁₁=10.22，c₁₂=5.76，c₄₄=4.60。熱伝導率：0.877W/cm･K。熱膨張係数：4.56×10⁻⁶/K（298K）。融点：1,070℃。
光通信用1.3μm，1.55μm長波長半導体レーザ，光検出器用基板として広く使用されており，現在2インチ基板が主流である。半導体レーザの場合，光閉じ込め層をInP，発光層をInGaAs(P)/InGaAsP量子井戸構造としたGRIN-SCH（Graded-index Separate Confinement Heterostructure）構造が代表的である。大容量長距離光通信用半導体レーザには，光導波層に周期的な屈折率変化を形成した分布帰還（DFB）レーザが使用される。一方，光検出器はInGaAs光吸収層を基礎としたへテロ構造となっている。このような発光，受光素子には導電性のInP基板を使用するが，高移動度トランジスタ（HEMT）やへテロバイポーラトランジスタ（HBT）などの作製，集積化には絶縁性基板が必要である。このためにはFeなどをドープした半絶縁性InP基板を使用する。一般に蒸気圧の高いPを含む薄膜作製は高真空系では困難なことが多く，素子の量産は主にMOVPEが用いられる。
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