半導体用語集
不純物再分布
英語表記：impurity redistribution
熱酸化はSiを取り込んで進行するため、SiとSiO₂の境界はもともとの表面から内部へ移動する。このため表面近くのドーパント濃度は影響を受け、不純物の再分布が生じる。平衡状態では、固相と液相中それぞれにおけるドーパント濃度の間に一定の定数があるのと同様に、Si中とSiO₂中のドーパントの濃度比は一定である。この濃度比は偏析係数mと呼ばれ、下記式で定義される。
ここで、Ⅽsᵢ、Csᵢᴏ₂は、それぞれSi中およびSiO₂中のドーパント濃度である。n型ドーパントであるP、As、Sbは偏析係数が大きく（m>1）、ドーパントはSi側へ入りやすく、Si表面でドーパント濃度が上昇する。一方、p型ドーパントであるBは偏析係数が小さく（m
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