半導体用語集
リフロー
英語表記：reflow
配線層の形成などによって生じた段差の上に絶縁膜を形成後、熱処理による粘性流動を利用して、下地段差形状を緩和させること。CVD法で、SiH₄（モノシラン）とO₂とPH₃を用いて、8wt・％程度のP含有量のPSGをポリシリコン配線層上に形成した後に、1,000℃程度で加熱することによって、PSGの堆積形状を平坦化することができる。CVD法で成膜する際にB₂H₆を追加して、SiO₂中にBとPを含ませたBPSGにおいては、平坦化のための加熱温度（リフロー温度）を800℃まで低温化することができる。デバイス作製プロセスを低温化することは、トランジスタの能動領域のドーピングされた不純物再分布を最小限にするために、素子寸法の縮小とともに重要になってきている。急激に温度を昇降温できるレーザアニールやランプアニール法を用いてリフローを行うと、加熱領域を能動域外に限定することもできるので、不純物の再分布を少なくすることも可能である。
リフロー後の絶縁膜の平坦性は、膜形成直後（リフロー前）の段差被覆形状にも依存している。TEOS（テトラエトキシシラン）とO₃を用いて常圧CVD法でBPSGを成膜すると、成膜後の段差被覆形状が改善し、その結果リフロー後の優れた平坦性が実現されている。
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