半導体用語集
エッチバック
英語表記：Etch Back
エッチバックとは、異方性エッチングの特徴を利用して、ウエハの表面を垂直方向にエッチングする方法である。エッチバックの主な応用は、PolySiの側面に絶縁膜（SiO2）を残す目的で使われる。PolySi側壁にできた絶縁層をサイドウォールという。
＊ゲート電極のサイドウオール形成方法（PolySi側壁にSiO2のサイドウオールを形成）
①PolySiパターン上にSiO2膜を積層 ②PolySi側壁のSiO2膜厚が平坦部に比較して垂直方向に厚い
③異方性エッチングで全面エッチングする（RIEエッチバック）④平坦部がエッチオフされても側壁部が厚いために
SiO2が残る。 ⑤PolySiの側壁に残ったSiO2膜がサイドウオールである（MOSFETの製造では重要なプロセス
である）
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