半導体用語集
エッチバック
英語表記：etch back
半導体集積回路を高密度化する時，横方向の寸法を縮小するのと同じ比率で厚さ方向も縮小できると技術的問題は少ないが，厚さ方向の縮小はいろいろな理由から困難である。そのため，高密度化・超微細化を実現するために平坦化技術が必要になる。平坦化技術には，(1)凹凸が発生しないように薄膜成長をしようとする技術（選択成長，リフロー，埋め込み）(2)加工しながら薄膜成長を行い，でき上がった時には表面が平坦になっている技術（バイアススパッタ，リフトオフ），(3)凹凸ができ上がったものを加工して表面を平坦にする技術（塗布，レーザ平坦化，リフロー，エッチバック，陽極酸化イオン注入）の三つがあり，(3)に属する技術としてエッチバック技術がある。この技術は，凹凸ができても，この表面に流動化しやすいフォトレジストなどの溶体を塗布し，これを熱処理すると表面が平坦になる。これを表面から均一に反応性イオンエッチングなどでエッチングしていけば最後に平坦化した回路をえることができる。この方法は塗布する材料が大切で，エッチングしたい材科と同一速度か，それにきわめて近い材料を選ぶのがポイントである。この技術は，いろいろな場合に用いることができるので，多くの工程で用いられる。
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