半導体用語集
二重イオン注入
英語表記：double ion implantation
あらかじめイオン注入されている部分に続けてイオン注入することを二重イオン注入と呼んでいる。最初のイオン注入と2回目のイオン注入の間に熱処理などの簡単な工程を挿入する場合もある。二重イオン注入を用いた素子の代表的な例が前述の二重ドレイン構造をもつMOSトランジスタである。後述のDILDDも二重イオン注入を用いた素子である。二重ドレイン構造ではリン/ヒ素のように同じ導電型の不純物を二重イオン注入しているが、 DILDD構造ではリン/ホウ素またはヒ素/ホウ素のように違った導電型の不純物を二重イオン注入する。
関連製品
「二重イオン注入」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「二重イオン注入」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
