半導体用語集
伝達コンダクタンス
英語表記：transconductance
FETにおいて、ドレイン電圧（Vds）を一定にした時、ゲート電圧（Vgs）を変化させた時のドレイン電流（Id）の変化率のことをいう。すなわち、伝達コンダクタンス（gm）は、gm=(∂Id/∂Vgs)vds=constである。単位はジーメンス（S）。相互コンダクタンスとも呼ばれる。理想的なFETでは、伝達コンダクタンスは飽和領域ではドレイン電圧に依存しないが、ゲート長の小さなFETでは、ドレイン電流が完全には飽和しないので、ドレイン電圧とともに伝達コンダクタンスが変化することもある。
現実のFETでは、ゲート電圧にはソース抵抗（Rs）に伴う電圧降下が含まれる。この電圧降下の寄与を除去したものを、特に真性伝達コンダクタンス（intrinsic transconductance, gₘᵢ）ということがある。真性伝達コンダクタンスと伝達コンダクタンスの関係は、gₘᵢ=gₘ/(1－gₘᵢRs) である。
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