半導体用語集
偏光解析法（エリプソメトリ）
英語表記：ELL: Ellipsometry
光の偏光特性を用いた膜厚測定法である。表面や薄膜の光学的性質および膜厚を高い感度と精度で計測する技術となっている。光は電磁波であり横波であるので，等方性の物質の中を進む時，進行方向に垂直な面内で互いに直角な2成分に分けられ，それぞれはある角振動数で振動している。同位相で振動している時は，進行方向に平行な面内で振動しており，これを直線偏光状態という。それぞれの振幅や位相が異なると，進行方向の軸の周り回転しながら進行し，これを楕円偏光という。
光が異なる媒質の物質に入射すると，入射面の法線と進行方向が作る面成分と，これに垂直成分の反射が，固体の光学特性（屈折率や消衰係数）によって異なって反射する。したがって反射光の偏光状態が変化する。つまり，直線偏光の光を入射すると一般に楕円偏光となって反射する。この楕円偏光の状態を測定することにより，反射面の光学特性が解明できる。実際には偏光子により直線偏光を入射して，検光子（回転検光子）と位相補償板により楕円の形と傾きを測定する。光学特性が既知の固体表面に薄膜が形成され，膜内で多重反射が起きている時にも適用できる。入射角を複数に設定して測定するなど，パラメータを増やすことにより，正確な膜厚測定法にもなっている。多層膜にも適用できる。半導体製造過程における膜厚測定の主要な方法の一つである。
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