半導体用語集
全反射蛍光X線分析
英語表記：Total Reflection X-ray Fluorescence
X線を試料に照射したときに二次的に発生する特性X線を検出して、試料内の元素の定性定量分析を行う手法を蛍光X線分析法という。これに対して、入射X線を試料表面上に全反射臨界角より小さい入射角で導入し、入射X線を全反射させることによって、S/N比を大幅に向上させる高感度分析法を全反射蛍光X線分析という。前者では散乱された入射X線がノイズとなるが、後者では試料表面に対して直角方向に置かれた検出器に散乱X線がほとんど入らないためにノイズが極めて小さくなる。また、臨界角より小さい角度でX線が入射すると、X線は試料内部に数nm程度しか侵入しないので、極表面層の微量分析に適している。なお、臨界角より大きい角度ではX線は反射せずに試料内部に侵入するので、この角度を変えることにより深さ方向分析ができる。適用できる対象は極めて平滑な表面をもつ試料に限られ、シリコンウェーハ表面の汚染分析や薄膜合金の分析などに用いられている。
関連製品
「全反射蛍光X線分析」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「全反射蛍光X線分析」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
