半導体用語集
凹型粗面セル
英語表記：凹 type rugged -surface cell
DRAMにおけるスタック型キャパシタ構造の一種。凹型セルで形成した蓄積電極の内壁に細かい凹凸を形成し、実効的なキャパシタ電極表面積を増大させ、蓄積容量を増大させることができるセル構造。
一般的には蓄積電極の表面に細かい凹凸を形成することにより、その領域の実効的な表面積はおよそ2倍増加するといわれている。したがって、同じ蓄積容量をえるために必要なキャパシタの蓄積電極高さを低減できることになる。これは、凹型セルのホールのアスペクト比が小さくなることに相当し、ホール形成のためのエッチング、凹型セルヘの蓄積電極およびプレート電極やキャパシタ絶縁膜の形成プロ七ス、および周辺トランジスタヘのコンタクト形成プロセスが容易になる。
蓄積電極表面を粗面にするための技術は蓄積電極材料がポリシリコンの場合にはすでに多くの試みがなされ、技術的完成度は高くなってきている。ポリシリコン電極の表面を粗面化するための手法には、rugged poly-Si法とHSG (Hemi Spherical Grain) Si法がある。前者のrugged poly-Si法は、電極のポリシリコンを成長する際に成長条件をうまく調整し、ポリシリコンの表面に凹凸を形成する方法である。後者のHSG Si法は、表面の平坦なポリシリコン電極を形成後に、ポリシリコン表面のみに粒状のシリコンを選択的に形成させる方法である。
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