半導体用語集
化学スパッタリング
英語表記：chemical sputtering
高エネルギー粒子が固体に入射した時に、固体表面からその構成原子や分子が放出される現象をスパッタリングという。スパッタリング現象は、「物理的スパッタリング」と「化学スパッタリング」に分類されるが、単にスパッタリングといった時は、「物理的スパッタリング」のことを指す。
高エネルギー粒子が固体表面に入射し、固体を構成する原子がその表面から放出される時に化学反応を伴う場合、これを特に「化学スパッタリング」という。化学スパッタリングは、物理スパッタリングとは異なり化学反応を伴うため、物理スパッタリングとは異なり、入射エネルギーに対するしきい値は存在しない。また、スパッタ率は、固体の温度、表面状態、残留ガス圧、入射粒子の粒子密度など条件に強く依存する。
金属ターゲットとして、TiやYを用いた時、Arガスに5％程度のO₂を混入させると、ターゲット表面で酸化物が形成されその化合物がスパッタされることにより、Arだけでスパッタした時よりもスパッタ率が急増する。
また、成膜という立場ではなく、意識的に反応性ガス中で放電させスパッタリングさせる立場に立つと、これはRIE（Reactive Ion Etching）の一つである。
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