半導体用語集
反射防止プロセス
英語表記：Anti-reflection process
下地段差に起因するレジスト膜厚の変動や下地絶縁膜の膜厚変動によるレジスト線幅のばらつきや、段差部からのハレーションを防止するためには反射防止プロセスが有効である。反射防止プロセスには二つの方法がある。レジスト上に反射防止膜を設けるTop ARC（TARC）プロセスとレジストの下に反射防止膜をひくBottom ARC（BARC）プロセスである。
TARCプロセスはλ/4無反射膜によりレジストｰ空気界面での反射を減らし多重干渉による定在波を小さくする。反射防止膜の屈折率はnt=√(n_γ･n_αiγ) (nt: TARC膜の屈折率、nγ :レジストの屈折率、n_αiγ : 空気の屈折率）であることが望ましいが、材料の制約からそれに近い屈折率を持つ材科が用いられる。レジスト塗布、プリべーク後に水溶性TARC材料が塗布され、露光後現像時に同時に剥離される。比較的簡単なプロセスであり、コストの増加も小さいことから量産においても0.35 μmルールぐらいから導入された。
Bottom ARCを用いると下地からの反射をほとんどなくすことが可能であるため反射防止としての効果は高いが、ARC膜のドライエッチングが必要であるため工程・コストが増加する。材料によりスピン塗布可能な有機系 ARCとCVDや PVDで形成される無機系 ARC に大別される。無機系 ARCではSiON、SiN、TiNなどが用いられ、下地段差にコンフォーマブルに膜形成でき、段差部においても均ーな反射防止効果をえることができるが、 ARC 膜の除去が困難なためプロセス上除去する必要がない部分に用いられる。無機系 ARC は一般に BARL（Bottom Anti-Reflection Layer）と呼ばれることが多い。有機系 ARCは ARC 膜の除去が容易でありレジストと同時に行えるが、段差部で溜りが生じるため反射防止効果がやや劣るがCMPと併用することで短所をカバーできる。BARCという場合には一般に有機系 ARC を指すことが多い。Bottom ARC は 0.25μm ルール以降不可欠な技術であり量産においても導入されている。
反射防止プロセスは効果が大きいがコスト増となる。要求されるパターン精度、プロセス整合性に留意し最適なプロセスを選択することが必要である。
関連製品
「反射防止プロセス」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「反射防止プロセス」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
