半導体用語集

周辺露光装置

英語表記:wafer edge eXPOSUre

エッジリンスと同様に、べベルを含むウェハ端部表面のレジストを除去する処理。パターニング露光とほぼ同波長のスポット光をウェハ端部表面に照射しレジスト感光させ、現像時に周辺部レジストを除去する。ウェハ周辺部のレジストが他工程で発塵することを防止する。エッジリンスが円周状にしかレジスト除去できないのに対して方形状にもレジスト除去できる優位性を持つ(たとえばオリフラ部)。


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