半導体用語集
基板エッチング
英語表記：windowing
X線マスクのメンプレン領域を薄膜化するために行うメンブレンとなる領域下部のシリコン基板のエッチング。バックエッチングまたはウインドウニングとも呼ばれる。一般に、水酸化カリウム(KOH)のアルカリ水溶液またはフッ硝酸(HF十HN03)水溶液によるウェットエッチングが用いられる。マスク基板の裏面のシリコンカーバイドや窒化シリコン膜にメンブレン領域に対応する大きさのエッチング窓を開け、周辺に残った膜をエッチングマスクとしてウェットエッチングを行う。エッチング速度を早めるためにエッチング液は、100℃程度まで加熱される。エッチングが表面のメンブレン膜に到達するまで、すなわちシリコンが完全に取り除かれるまで続けられる。KOHの場合は、シリコンの方位によりエッチング速度が大きく異なり、100方位のシリコン基板では横方向への広がりは小さく、エッチング後のシリコンの側壁には111面が現われる。2 mmの厚さのシリコン基板をエッチングするのに8時間程度を必要とする。このため、マスク製造のスループット制限要因になっている。
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