半導体用語集
多重干渉効果
英語表記：effects Of multiple interference
単一波長を用いたリソグラフィ技術では、フォトレジスト膜内での多重干渉の影響が顕著に現われる。多重干渉効果とは、レジストと空気との界面の反射、レジストとその下地基板からの反射がある場合、レジスト内で反射を何度も繰り返しながら千渉した結果として生じる様々な現象のことである。よく知られている現象はレジスト寸法と膜厚の関係である。レジスト線幅寸法や、最適露光量のレジスト膜厚依存性を詳細に測定すると、周期的に変化する。その周期はλ/2n (λ:露光波長、n:レジストの屈折率)とほぼ一致している。つまり、レジスト内での多重干渉の結果、定在波が生じ線幅寸法などにおいて周期的に変動する成分が観察されるためである。これが定在波効果ともいわれる多重千渉効果である。この影響を回避,または低減することが、線幅の均一性を確保するうえで重要な鍵となっている。そのためには反射光を弱くする必要があり,低反射膜(ARC)をレジストの上層や下 層に設ける工夫がなされてきた。また、光吸収の強いレジスト材料を用いることでも多重干渉の影響を緩和することができる。
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