半導体用語集
常圧気相エピタキシャル成長装置
英語表記：atmospheric pressure vapor phase epitaxial growth system
気相エピタキシャル成長を大気圧で行う装置。シリコンデバイス、特にバイポーラデバイスなどの製造プロセスで一般的に用いられる。
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