半導体用語集
気相エピタキシャル成長装置
英語表記：vaxialapor phase epitaxial growth system
高温気相中での化学反応を利用してウェーハ上にシリコン、化合物半導体等の単結晶層を成長させる装置。常圧気相エピタキシャル成長装置、減圧気相エピタキシャル成長装置、有機金属気相エピタキシャル成長装置、光気相エピタキシャル成長装置などに分類される。反応室形状としては枚葉式、バレル式、パンケーキ型（縦型）等があるが、8インチ以上の大口径ウエーハには枚葉式が主流となっている。
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