半導体用語集
後腐食
英語表記：after corrosnon
アルミエッチングにおいてはエッチング後の後腐食（アフタコロージョン）が大きな課題の一つである。アルミは塩素ガスを主に用いてエッチングが行われる。方向性形状をえるため側壁保護膜中にも塩素および塩素化合物が吸着している。その状態で大気中に解放すると、大気中の水分とそれら塩化物が結びついてHCLを形成するため、アルミ配線を腐食してしまい断線させることがある。この後腐食を抑制するためにいくつかの後処理が行われている。従来最も広く使われれていたのが水洗である。HCLは水洗により除去され腐食は抑制される。しかし、この方法では基板を大気に開放してからの時間に大きく依存して再現性が乏しい、また水洗時間も長くかかりスループットの低下を招くなどの大きな問題が生じる。また、Al中のCuなどの合金の含有率が増えるに従い後腐食も激しくなり水洗だけでは不十分であった。そこで、現在では真空チャンバ内で酸素プラズマ、フロロカーボンプラズマ、あるいはアンモニアやエチルアルコールプラズマなどで処理する後処理が一般的になっている。これらの処理により表面に残留していた塩化物ばかりでなく、グレイン境界に侵入していたものまで除去することが可能である。また、エッチングしたチャンバでその処理を行うと、チャンバ内に残留していた塩素の影響で表面の塩化物や塩素を取り除くことが困難なため、一般的にはエッチングチャンバと別な真空チャンバにて処理をする方法が取られている。
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