半導体用語集
アルミ
英語表記：alminium
トランジスタ間を配線する配線材料としてアルミニウムが一般的に用いられている。シリコン基板にアルミを直接接触させるとシリコン中にアルミが析出するアルミスパイクという現象が起きる。それを抑制するために、一般的にシリコンを1%程度含有したアルミが用いられる。また、マイグレーションを抑制するため、Cuを0.5～1%程度混入させているのが一般的である。Si、 Cuを含んだアルミ電極をエッチングするために用いられるエッチングガスは、BC13およびC12を基本として窒素、酸素、フロロカーボンガスなどの混合ガスとなる。アルミは表面の自然酸化膜が除去されると塩素と吸着反応を引き起こす。そのため、塩素だけでエッチングを行うと等方性エッチングとなる。そこで一般的にスパッタされたレジストや、BC13、 CxFyあるいは窒素などのガスにより側壁に保護膜を形成して異方性形状を実現している。アルミのエッチングにおいて特に問題になるのは、Si、Cuとの合金をエッチングする場合のエッチング後の残さ、レジストとの選択比、エッチングの後腐食である。残さはアルミとシリコンの混品やCuなどがアルミにくらべて工ッチング速度が遅く残ったものである。残さをなくすためにイオンのエネルギーを上昇させ、スパッタリングにより除去する方法が取られている。
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