半導体用語集
投影飛程
英語表記：projected range
イオン注入でのイオンの表面からの平均停止深さのことである。通常Rpと呼ぶ。この位置で最大の濃度になる。同じエネルギーで注入されたイオンはマスナンバーが大きい（重い）ほど浅く、小さい（軽い）ほど深く進入する。また広がりを表す⊿Rpと合わせて用いられる。その時の分布をガウス分布として表現すると、次の式となる。
濃度：N (x)＝
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