半導体用語集
投影飛程
英語表記：projected range
イオン注入でのイオンの表面からの平均停止深さのことである。通常Rᴘと呼ぶ。この位置で最大の濃度になる。同じエネルギーで注入されたイオンは、マスナンバーが大きい（重い）ほど浅く、小さい（軽い）ほど深く進入する。また広がりを表す⊿Rᴘと合わせて用いられる。その時の分布をガウス分布として表現すると、下記の式となる。
ここで、x : 深さ、Nd : 注入ドーズである。Nd/(2π)¹ᐟ²⊿Rᴘが、ピーク濃度を示す。図1に深さ方向の分布でRᴘ、⊿Rᴘを示す。また図2には、シリコン中の代表的なRᴘと⊿Rᴘのエネルギー依存性を示す。
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