半導体用語集
注入室
英語表記：implant chamber process chamber target chamber
ウェーハにイオン注入を行う処理室。注入時、チャンバ内にあるガスとイオンビームの衝突により生じた中性粒子が打込まれて注入量に誤差が生じないように、高真空を維持する必要がある。高スループットを達成するために、真空予備室や2つの注入室を設けた装置もある。
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