半導体用語集
減圧法
英語表記：kesshou
結晶成長時、反応容器内に不活性ガスを流しながら、ガス排出側より真空ポンプで減圧し、融液表面に発生する反応副生物を流出（排除）させ、反応容器内に清浄雰囲気をつくりだす方法。シリコン結晶の成長では、Arを流して圧力は103-104Paに調整され、融液から蒸発するSiO2粉の除去を容易にしている。この方法により、単結晶の製造能力が飛躍的に高められる。
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