半導体用語集
CVD
英語表記：Chemical Vapor Deposition
気相成長法は主として高温空間（基板も含めて）あるいは活性化された空間における化学反応を利用するところ CVD (Chemical Vapor Deposi-tion）といわれる。これに対して、主として物理的な反応や変化を利用して薄膜を作製するPVD （PhysicalVapor Deposition）がある。CVD法は当初大気圧の空間で反応が行われてきたが、近来、減圧法、プラズマCVD、光CVD法などが開発され、むしろ真空を用いる方法が主流となりつつある。一般に化学反応を起こすには、その系に活性化エネルギーを与える必要がある。活性化エネルギーとして、熱を与える熱CVD法、プラズマを用いるプラズマCVD、光を用いる光 CVD法がある。CVD法を反応室の圧力から見ると、この技術は最初、常圧法から出発し、常圧よりもっと圧力を下げた減圧CVD は常圧CVD法の付着、膜圧分布、比抵抗分布、生産の改善を意図して生まれた。今日ではこの減圧CVDが主流である。最近は、半導体プロセスの低温化要請などにより、プラズマ CVDや光CVDを用いる方法が研究されている。
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