半導体用語集
真空蒸着
英語表記：vacuum evaporation
真空中で物質を加熱して蒸発させ、他の物質表面に固着させること。蒸発源にはW、Ta、Moなどの高温材料が用いられ、フィラメント型、ボート型、るつぼ型のものがある。
ボート型やるつぼ型の材料にはグラファイトも用いられる。フィラメント型やボート型のものは直接電通によって加熱・蒸発が行われる。るつぼ型の加熱方法としては、ヒータによる加熱の他に高周波誘導加熱がよく用いられる。誘導加熱用の電源周波数は数kHzから数100kHzであるが、周波数が低くなるとインピーダンス整合器が大きくなるので50kHz前後のものが使いやすい。
基板温度は形成される膜密度を決める大きな因子である。一般に物質の融点（K）の25％までは密度の低いがさがさした膜が形成され、25～50％では、柱状組織を持ったバルク密度の90％以上の膜が形成される。50％を超えると結晶構造が現われ始める。
真空蒸着で用いられる物質は比較的融点の低いAl、Cr、Cu、Ag、Auなどであり、高融点金属には電子衝撃加熱蒸着かスパッタ成膜法が用いられる。
関連製品
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
