半導体用語集
破壊応力
英語表記：fracture stress
半導体結晶が脆性破壊を起こす温度領域での結晶の強度。転位の運動速度は温度に対し指数関数的に減少するため、低温では転位を運動させて塑性変形を起こすには非常に高い応力（Si-Si化学接合を切断させる）が必要となる。その値は結晶の劈開応力よりも大きくなるための破壊が先行する。シリコン単結晶については、室温の曲げ試験（抗折試験）で数100MPa、球圧子破壊試験では、数Gpaの破壊強度がえられている。また、破壊応力への不純物の影響はないと考えられている。
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