半導体用語集
緩和誘起ゲッタリング
英語表記：relaxation-induced gettering
半導体基板中に高温で固溶した金属不純物は、冷却によって過飽和となり析出を起こす。この現象をゲッタリングに応用するのが緩和誘起ゲッタリングである。一般にシリコン中の金属不純物の固溶限は温度の低下に伴い急減するため、熱処理後の冷却過程で不純物はか飽和となり、ある過飽和度以上で析出を始める。結晶中に析出核があると低い過飽和度で析出が始まるから、素子活性層より深い領域に不純物の析出核としてBMD、転位、積層欠陥などの結晶欠陥を作り込んでおき、そこに不純物が優先的に析出し、ゲッタリングが可能となる。析出によりシリコン結晶中に固溶している金属不純物濃度は減少し、濃度差により析出核のない素子活性層から新たに不純物が拡散してくる。このため緩和誘起ゲッタリングは、不純物のゲッタリングサイトへの拡散によって律速される。緩和誘起ゲッタリングでは前述の機構から、原理的に固溶限以下の金属不純物は除去できない。より低温のアニールでゲッタリング能力は増すが、一方で金属不純物がゲッタリングサイトまで到達するまでの拡散時間が長くなるため、デバイスプロセスに適用しにくい欠点がある。
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