半導体用語集
自己整合コンタクト
英語表記：Self Aligned Contact : SAC
MOSトランジスタを使って回路を組むためには、MOSトランジスタのソース、ドレイン、ゲートに金属の電極や配線を接続する必要がある。このような接続は絶縁膜に形成したコンタクト孔を介して行う。コンタクト孔はソース、ドレイン、ゲートのそれぞれの領域に設ける必要があるが、通常はそれぞれの領域に対して位置合わせ余裕を取ってコンタクト孔のパターンを形成する。しかし、素子が微細化されてくると、この位置合わせ余裕が集積度の向上を妨げる大きな要因となってくる。そこでこの位置合わせ余裕をできるだけ小さくするために自己整合コンタクト（Self Aligned Contact : SAC）という手法が提案されている。自己整合コンタクトの形成方法としてはいろいろな方法が提案されているが、その基本的な考え方はゲート電極全体を絶縁膜で被覆した状態でリンホウ素シリケートガラス（BPSG）などの絶縁膜を形成し、そこにコンタクト孔を形成するというものである。この方法を用いると、たとえば、ソースおよびドレインのコンタクト孔とゲート電極の間の位置合わせ余裕が0であってもソースおよびドレインとゲート電極を短絡させることなく金属電極を形成することができる。リンホウ素シリケートガラス膜に開けたコンタクト孔の一部がゲート電極に重なったとしても、ゲート電極は別の絶縁膜で被覆されているので露出されることはない。したがって、短絡は起こらない。ゲート電極のない部分ではソース、ドレインの拡散層が露出されるのでここで電気的な接続がなされる。ゲート電極を絶縁膜で被覆する際には、反応性イオンエッチ（RIE）で形成した絶縁膜のサイドウォールが一般的に用いられる。
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