半導体用語集
薄膜多層基板
英語表記：thin film multi layer substrate
ベース基板上にCr，Al，Cuなどの導体材料を蒸着，スパッタなどにより膜を形成し，フォトリソグラフィあるいはエッチングにより回路形成した基板。ベース基板材料には薄膜配線を形成するため，薄膜工程に適した表面の平坦性，耐熱性，機械的強度が要求され，Si基板，メタル基板，セラミック基板が用いられる。この中でもセラミック基板が最も一般的である。
製造方法はグレーズド基板（96％あるいは99％アルミナ基板上に，結晶化ガラスあるいは非晶質ガラスを形成し，基板の表面欠陥を改普した基板）などの欠陥の少ない基板上に，導体材科を蒸着，スパッタなどにより薄膜を形成し，フォトリソグラフィ，エッチングにより回路形成する。
薄膜多層基板の特徴は，微細配線が可能でL，C，Rはもちろんのこと，サーミスタ機能などを同一基板上に形成でき，小型，高密度，高精度の配線板がえられることである。一方，プロセス上高価な配線板になってしまう欠点がある。また絶縁膜に感光性ポリイミドなどの耐熱性樹脂を使用した薄膜多層基板も開発されている。
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