半導体用語集
裏面加工歪層
英語表記：backside damage layer
シリコンウェハの加工では、裏面加工歪層を付与する加工を指して一般に BSD(Backside Damage)加工という。この加工の目的はウェハにゲッタリング能力を付与することにあるが、 BSD加工というのはこの手段の中のバリエーションの一つである。ウェハにゲッタリング能力を付与する目的で ウェハ裏面に対して行う加工処理を指 すより一般的な表現は裏面ゲッタリング処理(backside gettering treatment)である。ゲッタリングとは、LSI製造の途上での環境雰囲気やウェハの取り扱いなどによって入り込みLSIの動作性能や信頼性に悪影響を及ぼす不純物(主にアルカリ金属と重金属)や、これらに起因するマイクロシ ャローピットやOSFなどの結品欠陥 を特殊な工夫によってシリコンウェハ 中でLSIに使わない部分に吸収させてしまい、その悪影響を避ける技法である。ウェハにゲッタリング能力を付与する手段は裏面加工以外にもあり、大別してIntrinsic Gettering(内部ゲッタリング)とExtrinsic Gettering(外部ゲッタリング)の二つに分類され、それぞれの処理を施されたウェハをそれぞれIG ウェハ、EGウェハと呼ぶことがある。裏面加工歪層を付与したウ ェハは EG ウェハの一つである。Extrinsic Gettering処理にはゲッタリングサイトとして機械的なダメージによって生じる加工歪層を用いる裏 面ダメージ加工による方法と、結晶粒界や不純物による結晶格子の歪や偏析を利用する成膜加工や不純物拡散によ る方法がある。裏面に加工ダメージ(backside damage)を付与する方法には、ホーニング法(用語としてはサンドブラスト法はホーニング法とはやや定義が異なるが、実質的には同じ)とスクラッチ法があるが、今日一般に用いられているのはホーニング法であ る。一方、結晶粒界や格子歪、偏析をゲッタリングに用いるものには、裏面ポリシリコン(backside polysilicon deposition)法、裏面リンガラス(phosphorous silicate glass)法があ る。他にレーザゲッタリング法というウェハ裏面をレーザ光線で溶融しアモルファス化あるいは多結晶化する方法 もある。
裏面加工歪層の付与加工は、LSI製 造プロセスの中で機能を発揮させるこ とが目的の処理であるために、ここで 付与された加工歪がこれ以降の工程で 除去されてしまっては具合が悪い。このため、裏面加工歪付与処理はウェハ製造工程の中で、片面鏡面ウェハの場合でエッチング工程以降、両面鏡面ウェハでは裏面の鏡面加工以降に行わなければならない。
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