半導体用語集
赤外干渉法
英語表記：infrared interference method
赤外線の半導体産業への応用の一つにウェハの物性評価への応用があり、Si中の不純物である酸素や炭素の状態解析、濃度測定、またエピタキシャル膜厚測定などがある。赤外干渉法はエピタキシャル成長膜厚測定に用いられる。Siはドーパント濃度が低い場合には赤外線をほとんど吸収しないが、濃度が高くなるとフリーキャリアによる吸収が起こり、屈折率が変化する。赤外線干渉法はこの性質を利用したもので、エピタキシャル膜の表面側から赤外線を照射すると赤外線の一部は表面で反射し、残りはウェハ内部に進入する。基板中のドーパント濃度が高いとエピタキシャル膜と基板の界面で赤外線が反射され、表面と界面での反射の光路差による赤外線の干渉が生ずる。これによりエピタキシャル膜厚を評価する。赤外干渉法ではエピタキシャル膜/基板界面での赤外線の反射が必要なため、ドーパント濃度が～1018atoms/cm3以上の基板か埋め込み層上のエピタキシャル膜に限られる。
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