半導体用語集
転位の運動速度
英語表記：velocity of dislocation motion
一般に結晶中の転位の運動速度νは、次式に従い応力τに比例して増加し、温度が上昇すると速くなる。
ここでKB はボルツマン定数、νoは転位の種類によって決まる定数、Qは活性化エネルギーである。シリコン単結晶の場合、νoとQはらせん転位と60°転位について、それぞれ3.5×104ｍ/ｓ、2.35と2.20eVである。シリコン単結晶中の転位の運動速度は、固溶する不純物によって固着が起こるため、上式よりも減少する。
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