半導体用語集
鉄（Fe）
英語表記：iron
Feは、Cuとくらべると固溶度、拡散係数ともに小さいが、電気的に活性で、深い準位を形成し、DLTSおよびSPVで計測される。析出物としてFeを同定することはできない。Feの深い準位は単独で格子間FeはEᴠ+0.4eV、Fe-B対でEᴠ+0.2eVの深い準位を形成する。室温ではFe-Bと結合しているが、光の注入あるいは160℃以上の加熱をすることによって、この結合は解離する。SPVにより、この解離量比を求めることによって、結晶中のFe濃度を定量的に10¹⁰ atoms/cm³前後まで測定することができる。Feは、1,000℃の酸化処理で酸化膜にゲッタリングされる。犠牲酸化による不純物除去はこの現象を利用している。IGによる Feのゲッタリングは緩和型で内部欠陥密度は10⁸ /cm³以上必要である。PBSによるFeのゲッタリングは偏析型である。しかし、1,000℃の高温では、Feが固溶しておりゲッタリング効果はない。高濃度ホウ素によるFeのゲッタリングは、先に述べたように、Fe-B対を形成し、高いゲッタリング能力を持ち、偏析型のゲッタ機構である。
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