半導体用語集
面間均一性
英語表記：wafer to wafer non-uniformity
CMPにおける加工均一性の表記法として、ウェーハ内均一性とウェーハ間均一性の二つの方法がある。ここでいう面間均一性は、均一性のウェーハ間変動を意味する。変動を表示する方法として二つの方法がある。一つは、例えば、1000枚のウェーハの場合には、1000枚の均一性の標準偏差（σ）で示す方法。二つ目は、（Max－Min）法により定義される。この方法の定義を以下に示す。
（面間均一性）＝｛(Umax-Umin)／2Aｖ｝ｘ100％
ここで、
Umax：全ウェーハの均一性の最大値
Umin：全ウェーハの均一性の最小値
Av ：全ウェーハの均一性の平均値
を意味する。このパラメーターはCMP装置の性能の一つである加工均一性のウェーハ間変動を示す。一般的な半導体製造工場では、月に数万枚のウェーハを数台のCMP装置で処理するため、このパラメーターが重要な意味を持つ。もちろん、数字が小さいほどウェーハ間変動が低く、安定な装置であるということができる。
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