半導体用語集
BESOI
英語表記：Bond Etch SOI
エッチングでSi層を薄膜化した貼り合わせSOIである。
エッチングでSi層を薄膜化するにはエッチング速度がドーパント濃度や結晶性に依存することを利用した選択的エッチング法（エッチストップ法）とPACEに代表される局所的エッチング法に分けられる。
エッチング速度のドーパント依存性を利用する方法ではホウ素を利用する方法が提案されている。エッチング面をシャープにするには工ッチング速度差をできるだけ大きくとる必要がある。このためにはホウ素濃度差をできるだけ大きくし、界面のホウ素濃度遷移層幅はできるだけ小さくする必要がある。高濃度ホウ素ドープ層や低濃度ホウ素ドープ層を形成するにはイオン注入法やエピタキシャル成長法があるが、界面の遷移幅をできるだけ小さくするために、貼り合わせ熱処理やエピタキシャル成長の温度は低温で行う必要がある。
局所的エッチング法にはPACE法がある。これは基板全面のSi層厚分布を光学的に測定し、局所的に閉し込めたプラズマを利用して厚い部分を選択的にエッチングする方法である。プラズマの大きさやエッチング速度によっては微細な厚さムラが形成されるが、エッチング条件を適正にすれば実用上間題ないレベルになる。問題はスループットが小さい点であり、改善が検討されている。
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