半導体用語集
C-t法
英語表記：C-t Method
C-t法とは，MOSキャパシタにパルス電圧を印加した時の容量の過渡応答を測定することで少数キャリア寿命を求める方法である。MOSキャパシタにおける反転状態の容量－電圧(C-V)特性は，高周波CVの場合，蓄積状態から反転状態になるようにゲート電圧をゆるやかに変えていくと空乏層が形成され，空乏層容量と酸化膜容量が直列に繋がり容量は小さくなる。反転層が形成されるようになると，印加する電圧が反転層へのキャリアの蓄積に用いられるようになり，それ以上空乏層が伸びなくなるためにある容量値Cminで一定となる。一方，蓄積状態から急激に反転状態となるために必要な電圧を印加した場合，シリコン基板表面には反転層が形成されずに空乏層が広がる。この時のC-V曲線はCminよりも小さな値をとる。この状態で電圧を印加し続けると，熱励起によって電子－正孔対が作られ，p型基板の場合，電子はシリコン－酸化膜界面へ集まり，正孔は基板へと流れる。電子が界面に集まるに従って反転層が形成されていき，空乏層の幅は電子－正孔のつり合いがとれるように狭くなっていき，やがて定常状態(C=Cmin）に落ち着く。この過渡応答特性をゼルブストプロット（zerbst plot）にて解析することにより，少数キャリア寿命が求められる。なお，ゼルブストプロットとは，反転時の容量をCmin，酸化膜容量をCox，過渡容量をCとした時，(Cmin/C-1)に対するd(Cox/C)²/dtで表わした時の直線部分の傾きから少数キャリア寿命を求めることができるというものである。
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