半導体用語集
MOS IC
英語表記：Metal Oxide Semiconductor Integrated Circuit
1962年に、カニングによって、シリコン酸化膜の絶縁物を介して、表面電極からシリコン表面への電界効果を利用したMOSデバイスと、これを利用したMOS ICが開発された。当時は、まだ、バイポーラが全盛であり、高速性などで優位であったが、集積度が増すにつれて、MOSが次第に優位となった、これは、MOSの構造がより簡単で、工程数が少なく、高集積化に有利であったこと、低消費電力性が、電卓などの軽薄短小型電子機器の応用に重要であったことがあげられる。特に、1970年代の電卓開発において、CMOSは決定的となった。そして、1980年以降は、MOSの中でも、より低消費電力に優位なCMOSが、圧倒的に主流となり、DRAM、MPUを始め半導体チップのほとんどが、CMOSとなっている。その後も、バイポーラは、その高速性からメインフレームのCPUなど特殊な分野には利用されていたが、1990年以降は、IBM、富士通などでも、CPUにも、CMOSを採用するようになっており、現在は、デジタル分野では、日立が独自にCPUの一部にバイポーラを使うに留まり、あとは、アンプ、A/Dコンバータなど、アナログ応用が中心である。
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