半導体用語集
TEM法
英語表記：TEM: Transmission Electron Microscopy
TEM（透過型電子顕徴鏡）は光学顕微鏡での光の代わりに，光より波長の短い電子ビームを用いることで，空間分解能を上げようという目的で発明されたものである。SEMのような走査系を用いず純粋に（電子）光学的に像をえる。このため歴史もSEMより古く，1929年にドイツのエルンスト・ルスカにより発明され，1939年にはシーメンス社により商用機が完成されている。空間分解能は，光学顕微鏡を用いた場合0.2µm以下は無理であるが，TEMを用いると0.1nmも可能である。
半導体デバイスヘの応用は断面形状の観察が1980年頃から始まり，1990年代に入り活発に行われるようになった。断面観察が盛んに行われるようになった背景にはデバイスの徴細化がある。一方，故障解析では故障の疑いのある箇所をサブミクロンの精度で断面出しをする必要があるため，KirkらによるFIBを用いてサブミクロンの精度で狙った箇所の断面を出す方法の開発を待つ必要があった。
以下にその手順の概要を記す。
（1）観察したい箇所の近傍にFIBで印をつける。
（2）ダイサである程度薄くする。
（3）FIBで観察したい箇所の両側をミリングし断面を出す。
（4）TEMで形状や材質の異常をみつける。
（5）TEMに付属しているEDXやEELSで元素分析を行い，、元素分布上の異常をみつける。
（6）TEMの電子線回折機能を用いて結晶構造上の異常をみつける。
日本で故障解析に本格的に使われるようになるのは，彼らの発表から5年ほどたってからである。
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