半導体用語集

UVべーク

英語表記:UV bake

レジストの耐熱性を高めるたに、加熱と遠紫外線照射を行う処理。高温 (100~200℃)保持された熱盤上に現像処理後のウェハを載置し、遠紫外光(200~400nm波長)をウェハ前面に一括照射し、レジスト主成分の樹脂の橋架け反応を促す。橋架け反応の進行に応じて、加熱温度を徐々に上昇させる処理が、より効果的で処理時間の短縮が図れる。 一般的には、エッチング時の反応熱によるレジストパターンの変形を防止する目的で用いられる。 ノボラック系樹脂を主成分としたレジスト材料に対して、より顕著に耐熱性向上効果が確認されている。


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