半導体用語集
CZ法Si単結晶育成装置
英語表記：CZ method Si single crystal growth equipment
CZ法によるSi単結晶育成装置には、主にケーブルで引上げるものと、シャフトで引き上げるものの2種類がある。前者は、ケーブルを巻き取りながら引き上げるために、装置全体の高さは、引き上げた結晶を収納できる高さがあればよいが、後者は、結晶の長さにシャフトの長さを加えた高さが必要になる。一方、ケーブル方式は、結晶回転速度とケーブルの長さの特定の組み合わせで、共振（振り子のように揺れる）を生じるので、共振を避けた条件を設定する必要があるが、シャフト方式にはその問題がない。また、耐荷重の点やその他種々の点から、一長一短があり、どちらのタイプも現在使われている。Si単結晶育成装置は、融液を保持するためのヒータと保温部材が接地してある下部と、引き上げた結晶を収納する上部で構成されている。SiOの適正な排出と炉内の圧力を制御するために、上部から、Arを流し、下部から真空ポンプで排気を行う。融液の温度制御は、液面温度や、保温部材側面をモニタし、ヒータ出力にフィードバックする。結晶の直径制御は、CCDカメラなどによって計測し、引き上げ速度にフィードバックする。また、より高品質な結晶を製造するために、液面位置をレーザで検出して、一定の位置に制御する方法や、炉内圧力、結晶回転速度やるつぼ回転速度を結晶の成長長さに応じて変化させるなど、いくつかのパラメータを組み合わせて、所定の品質の結晶をえる。
関連製品
「CZ法Si単結晶育成装置」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「CZ法Si単結晶育成装置」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
