半導体用語集
UVキュア
英語表記：UV cure
パターン形成後のレジストを加熱しながらDUV光を照射することで、架橋反応を引き起こし、レジストの耐熱性や耐ドライエッチング性を改善する手法。
ジアゾナフトキノン感光剤レジストにおいて、パターン形成後のレジストを100℃以上で加熱しながら水銀ランプやキセノン水銀でDUV光を照射すると、ノボラック樹脂間の架橋反応およびノボラック樹脂と感光剤間の架橋反応が生じ、レジストが高分子量化する。その結果、レジストの耐熱性および耐エッチング性が向上する。
UVキュアでの架橋反応のメカニズムは以下のように考えられている。ノボラック樹脂自体、加熱することによってラジカルが生成し架橋を起こすが、これには175℃以上の高温加熱が必要となり、レジストの耐熱性を超えているため、パターンが熱形状変化を起こしてしまう。そこで、ノボラック樹脂のπ電子吸収を励起するDUV光を照射することによりラジカルを生成させ、樹脂間の架橋反応を促すと考えられている。また、ジアゾナフトキノン感光剤は、室温でDUV光を照射すると、ケテン中間体を経て水分を取り込み、インデンカルボン酸になってしまうが（パターン形成時の露光反応）、100℃以上の加熱を行いながらDUV 光を照射すると、ケテン中間体は水分がないためインデンカルボン酸にはならす、DUV光照射によりラジカルが生成したノボラック樹脂と架橋反応を起こす。
UVキュアによるレジスト架橋を効率的に行う手法として、DUV光照射に当たって、レジストの軟化点を超えないように温度制御を行いながら、加熱温度を徐々に昇温させる方法（特開平 2-209724、USP 497466）も用いられている。
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