半導体用語集
Wrightエッチング
英語表記：Wright etching
シリコン単結晶の欠陥を光学的に評価する方法の一種。組成はHF:HNO3:CrO3：Cu(NO3)2・3H2O：CH3COOH：H2O=2:1:1:(2ｇ):2:2、面方位〈100〉、〈111〉でも、タイプがN型、P型でも適し、最も良く使用されている。
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