半導体用語集
アバランシェフォトダイオード
英語表記：avalanche photo diode
光吸収によって励起された電子・正孔対を半導体中に印加した高電界で加速し、結晶格子との衝突電離によって二次的なキャリアを生成させ、その結果として、大きな電流増幅率（これをなだれ増倍という）がえられるようにしたフォトダイオード。シリコンなどのpn （pin）接合に降伏電圧に近い逆バイアスを印加することで、低暗電流、高電流増幅率が実現されている。
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