半導体用語集
イオン照射
英語表記：ionic bombardment
金属膜埋め込み前のシリコンウェハ表面に付着している有機物層や自然酸化膜層を除去するために、アルゴン (Ar)イオンを表面に照射し、それらの不純物を照射イオンの衝突がもたらす物理的エネルギーにより除去するという試みがなされている。 この際照射イオンのエネルギーは20 eVから1,000eV程度で、エネルギーが大きいほど下地のシリコンに及ばすダメージが大きくなる。したがって、純然たる物理的相互作用による洗浄ではなくなるが,ダメージフリーの洗浄を実現するために低エネルギーのイオンを用い、かつ被洗浄ウェハの温度を上げて熱的エネルギーとの相乗効果により洗浄を行う場合がある。また、照射イオンにArなどの不活性原子の他に水素なども添加して用い、その化学的な反応(シリコン酸化膜の還元)との相乗効果を用いる場合もある。一般に、金属ゃある種の有機不純物はシリコンよ りも質量が大きいので、このような物理的エネルギーを用いて、それらの除去を行おうとすると、必ず下地のシリコン基板表面近傍にダメージを及ぼしてしまう。したがって、洗浄対象となる汚染物は自然酸化膜や一部の有機物に限られ、またその場合も照射イオンのエネルギーを注意深く決定しなければならない。
関連製品
「イオン照射」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「イオン照射」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
