半導体用語集
エッチング
英語表記：etching
金属，半導体，絶縁体などの被加工薄膜を形成した基板上に感光性樹脂（フォトレジスト）薄膜を塗布形成し，光，電子，イオンなどのエネルギー線によりパターニングを行った後，そのフォトレジストをマスクとして，マスクパターンを基板薄膜へ転写する技術がエッチングである。その要求される特性は，エッチング速度，高解像性，低損傷，パーティクルの低汚染などである。エッチング技術には，溶液を用いる化学エッチング（ウェットエッチング）とまったく液体を用いないドライエッチングがある。初期にはウェットエッチングが用いられていたが，パターンの微細化とともにドライエッチングが主流となっている。ウェットエッチングは等方性エッチングであり，適用パターン幅は3μm以上である。ドライエッチングはプラズマおよびイオンビームを用いるエッチング方法であり，プラズマのみを用いる円筒型プラズマ裝置ではラジカルが反応種であるため，等方エッチングであるが，その他の平行平板型エッチング，イオンビームエッチングは方向性を持ったイオンが主であり，サブμmからサブ0.1μmの高解像度異方性を有する。エッチングによる基板表面層への損傷という点ではウェットエッチングは無損傷エッチングであり，ドライエッチングではイオン照射損傷が問題となる。そのため，その損傷を回復させるアニール工程が必要になる。GaAsデバイスではドライエッチングした後，ウェットエッチングにより損傷層をウェットエッチングで取り除くリセス処理が行われている。
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