半導体用語集
EPD
英語表記：Htch Pit Density
結晶表面を適当な腐食（etching）液に浸すと、転位などの結晶欠陥が存在する位置に1μmから100μm程度の腐食孔（etch pit）
が現れる。エッチング液によっては特定の結晶面が現れる。ピット数の計数により転位密度（dislocation density）・BMD密度・FPD 密度・COP密度など種々の欠陥密度が求められ定量的議論に供されている。
シリコンでは酸化性の強いCrイオンとHFを主体とした選択エッチン グ液(Wright液、Secco液、Sirtl 液)などが優れた選択性を示し広く用 いられてきたが,最近ではHF/ HNO,系の Dash 液を基本にしたCr フリーエッチング液が開発され,環境 にやさしいという面で急速に普及している。化合物半導体のGaAsでは、LEC法で作製したウェハのKOH溶液によるエッチングで多数のエッチピットが 出現する。この表面密度をEPDとして計数すると、105cm~3の密度で直 径方向にW字型の中央部と外周部で高い密度分布を示す。これらの起源は転位のリネージ構造である。GaPでは面方位によって最適な液は異なる。
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