半導体用語集
異方性エッチング
英語表記：Anisotropic Etching
垂直方向と水平方向のエッチング速度が同じ場合、アンダーカット量が垂直方向のエッチ量と同じ形状になる。これを等方性エッチングという。
＊等方性エッチング装置 ウエットエッチング（薬液）、バレル型プラズマエッチャー
水平方向よりも垂直方向のエッチング速度が早い場合、s≪ｈとなり、PRターンに忠実なエッチング形状となる。これを異方性エッチングという。
＊異方性エッチング装置には：RIE、ECR、ICP、マグネトロンRIEなどがある。
異方性エッチングは化学反応（ラジカル）と物理反応（イオン）でエッチングが進む。イオンがセルフバイアスで垂直方向に引っ張られて底部に衝突し底部を削ると同時に、ラジカルの化学反応を活性化し、異方性の強いエッチングが進む。
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