半導体用語集
異方性エッチング
英語表記：anisotropic etching
被エッチング表面にエッチングマスクを形成した後、エッチングを施す際に、垂直方向のエッチングの進行が水平方向のエッチングの進行よりも速いエッチング。特に、図1のような垂直パターンの断面形状がえられる場合を完全垂直異方性エッチングと呼ばれる。
垂直方向のエッチングの進行にはイオンが何らかの形で関与していると考えられており、たとえば平行平板型のドライエッチング装置においてはシースが電極に平行にできるため、イオンの入射角度が基板に垂直となり水平方 に対してイオンアシストの効果が働くと考えられている。なお、方向性のないエッチングを等方性エッチング(isotropic etching) 呼ぶ。
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